現(xiàn)在有的網(wǎng)友提出一些疑問，那就是DDR2和DDR3的區(qū)別是什么?為什么現(xiàn)在市場上DDR2內(nèi)存還要比DDR3貴?其實(shí)簡單地說物以稀為貴，因此市場上DDR2的內(nèi)存變少，所以才會導(dǎo)致價格的上升。那么DDR3與DDR2內(nèi)存的區(qū)別是怎樣的?下面，小編給大家分享ddr2和ddr3的區(qū)別。

眾所周知，用戶在升級選購內(nèi)存的時候是要區(qū)分DDR、DDR2與DDR3以及最新DDR4的，它們之間不能互相兼容，DDR3內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。那ddr2和ddr3有什么區(qū)別？下面，小編跟大伙聊聊ddr2和ddr3的區(qū)別。

ddr2和ddr3有什么區(qū)別

DDR2與DDR3內(nèi)存的一般區(qū)別

在當(dāng)前的情況下DDR2跟DDR3可以說是最為主流的內(nèi)存規(guī)格了，相應(yīng)的工作頻率大小在400MHz-1000MHz。因為內(nèi)存利用的是雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)，因此我們可以看到DDR2內(nèi)存相應(yīng)的有效頻率大小是800MHz，相應(yīng)的最高值為DDR2-1066或者是DDR2-1200。這一參數(shù)在DDR3里面可以達(dá)到2133以上的頻率。另外需要注意的是除了工作頻率，內(nèi)存的另一個非常重要的參數(shù)也就是時序了，不同品牌與產(chǎn)品也是存在差異的。對于時序來講，它就是內(nèi)存完成一項工作產(chǎn)生的一個時間周期，相應(yīng)的時間越長那么執(zhí)行效率就會越低。

內(nèi)存圖詳解-1

防呆缺口方面：我們知道DDR內(nèi)存的單面金手指相應(yīng)的針腳數(shù)量是92個，雙面的話就是184個，相應(yīng)的缺口左邊的針腳數(shù)量是52個，右邊就是40個;對于DDR2內(nèi)存來講，相應(yīng)的單面金手指可以達(dá)到120個，上面缺口的左邊具有的針腳數(shù)為64個，相應(yīng)的缺口右邊數(shù)量是56個;而相對于DDR3內(nèi)存來講，單面的金手指數(shù)量也是120個跟DDR2相仿，但是缺口左邊的針腳數(shù)量可以達(dá)到72個，而對于缺口右邊的針腳數(shù)量是48個。

內(nèi)存圖詳解-2

DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別：

1、邏輯Bank數(shù)量：相對于這個DDR2的SDRAM里面具有4Bank還有8Bank的一些設(shè)計，其主要的目的是滿足未來的大容量芯片需求。對于這個DDR3來說，一般是從2Gb的容量開始起步，換句話說起始邏輯Bank是8。

內(nèi)存圖詳解-3

2、封裝(Packages)：對于這個DDR3來說多出了很多新功能，一般是在引腳的方面都會有一定的增加，相對于8bit芯片來說一般是利用的78球FBGA封裝，相對于16bit的芯片來講一般是運(yùn)用的96球的FBGA封裝。對于這個DDR2來說一般都有60/68/84球的FBGA封裝的三種規(guī)格。相對于DDR3來說一般是綠色封裝，絕對不含有害物質(zhì)。

3、突發(fā)長度(BL，Burst Length)：相對于這個DDR3來講，它的預(yù)取為8bit，因此相應(yīng)的突發(fā)傳輸周期也被固定為8;與之不同的是DDR2與早期DDR架構(gòu)系統(tǒng)是一樣的，DDR2的突發(fā)長度BL=4，而對于DDR3來說在此基礎(chǔ)上增加了4-bit突發(fā)突變的模式，換句話說是具有一個BL=4的讀取操作，然后又加上了BL=4的相應(yīng)的寫入操作，以此組成BL=8的一個數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸。

ddr2圖詳解-4

4、尋址時序(Timing)：從這個方面來看，其中這個DDR3的CL周期要比DDR2提高不少。對于DDR2來說，它的CL范圍在2到5之間，而對于這個DDR3來說，它是在5到11之間。DDR2相對應(yīng)的AL范圍是0到4，對于DDR3來說，它的AL可以選擇的選項有三種，即0、CL-1和CL-2。除此之外對于DDR3來說，它還新增加時序參數(shù)。

以上就是ddr2和ddr3的區(qū)別。